Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
PN Junction Semiconductor P3M12025K4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | P3M12025K4 |
| رقم قطعة EBEE | E86352269 |
| الحزمة | TO-247-4L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| الوصف | 1.2kV 112A 577W 35mΩ@15V,50A 2.2V@50mA 1 N-channel TO-247-4L MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | PN Junction Semiconductor P3M12025K4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| التكوين | - | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 1.2kV | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 112A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 35mΩ@15V,50A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 577W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 2.2V@50mA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 18pF@800V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 6775pF@800V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | - |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $83.1105 | $ 83.1105 |
| 200+ | $33.1627 | $ 6632.5400 |
| 500+ | $32.0542 | $ 16027.1000 |
| 1000+ | $31.5070 | $ 31507.0000 |
