Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
PN Junction Semiconductor P3M06120T3
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | P3M06120T3 |
| رقم قطعة EBEE | E87323805 |
| الحزمة | TO-220-2L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| الوصف | 650V 29A 158mΩ@15V,10A 153W 1.8V@5mA 1 N-channel TO-220-2L MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | PN Junction Semiconductor P3M06120T3 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| النوع | 1 N-channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 650V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 29A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 158mΩ@15V,10A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 153W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 1.8V@5mA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 8.6pF@400V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 31.6nC@15V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $26.1686 | $ 26.1686 |
| 200+ | $10.4423 | $ 2088.4600 |
| 500+ | $10.0939 | $ 5046.9500 |
| 1000+ | $9.9213 | $ 9921.3000 |
