Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi TIP32
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | TIP32 |
| رقم قطعة EBEE | E83200932 |
| الحزمة | TO-220-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 2W 10@3A,4V 3A PNP TO-220-3 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5483 | $ 0.5483 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2059 | $ 102.9500 |
| 1000+ | $0.2023 | $ 202.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | onsemi TIP32 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| جامع الحالي (Ic) | 3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 2W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 300uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 10@3A,4V | |
| تردد الانتقال (fT) | 3MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3A,375mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5483 | $ 0.5483 |
| 200+ | $0.2130 | $ 42.6000 |
| 500+ | $0.2059 | $ 102.9500 |
| 1000+ | $0.2023 | $ 202.3000 |
