Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi FDS2582
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | FDS2582 |
| رقم قطعة EBEE | E8455164 |
| الحزمة | SO-8 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 150V 4.1A 0.066Ω@10V,4.1A 2.5W 2V@250uA 1 N-channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>1973 في المخزن للشحن السريع
1973 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1561 | $ 1.1561 |
| 10+ | $0.9498 | $ 9.4980 |
| 30+ | $0.8364 | $ 25.0920 |
| 100+ | $0.7088 | $ 70.8800 |
| 500+ | $0.6521 | $ 326.0500 |
| 1000+ | $0.6269 | $ 626.9000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| ورقة البيانات | onsemi FDS2582 | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 66mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 32pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.29nF | |
| Gate Charge(Qg) | 19nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
1973 Stock for Shipping Fast
1973 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1561 | $ 1.1561 |
| 10+ | $0.9498 | $ 9.4980 |
| 30+ | $0.8364 | $ 25.0920 |
| 100+ | $0.7088 | $ 70.8800 |
| 500+ | $0.6521 | $ 326.0500 |
| 1000+ | $0.6269 | $ 626.9000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
