Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi 2SD1802T-E
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2SD1802T-E |
| رقم قطعة EBEE | E8898362 |
| الحزمة | TO-251-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 50V 1W 200@100mA,2V 5A NPN TO-251-3 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2895 | $ 0.2895 |
| 200+ | $0.1120 | $ 22.4000 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 1000+ | $0.1061 | $ 106.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | onsemi 2SD1802T-E | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| جامع الحالي (Ic) | 5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 200@100mA,2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 150MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 190mV@2A,100mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2895 | $ 0.2895 |
| 200+ | $0.1120 | $ 22.4000 |
| 500+ | $0.1081 | $ 54.0500 |
| 1000+ | $0.1061 | $ 106.1000 |
