Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
onsemi 2N5771
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N5771 |
| رقم قطعة EBEE | E83201688 |
| الحزمة | TO-92-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 15V 350mW 50@10mA,300mV 200mA PNP TO-92-3 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | onsemi 2N5771 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 200mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 350mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 15V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@10mA,300mV | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 600mV@50mA,5mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0397 | $ 3.0397 |
| 200+ | $1.1765 | $ 235.3000 |
| 500+ | $1.1357 | $ 567.8500 |
| 1000+ | $1.1144 | $ 1114.4000 |
