Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NXP Semicon BC857B/DG/B3215
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | BC857B/DG/B3215 |
| رقم قطعة EBEE | E83201065 |
| الحزمة | TO-236AB |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 45V 250mW 125@2mA,5V 100mA PNP TO-236AB Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,ثنائي القطب (BJT) | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | - | |
| جامع الحالي (Ic) | 100mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 250mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 15nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 45V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 125@2mA,5V | |
| تردد الانتقال (fT) | 100MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 650mV@100mA,5mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.0608 | $ 0.0608 |
| 200+ | $0.0236 | $ 4.7200 |
| 500+ | $0.0228 | $ 11.4000 |
| 1000+ | $0.0223 | $ 22.3000 |
