Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE75
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE75 |
| رقم قطعة EBEE | E86721465 |
| الحزمة | TO-111 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 2W 40@50mA,5V 5A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $83.8059 | $ 83.8059 |
| 200+ | $33.4398 | $ 6687.9600 |
| 500+ | $32.3226 | $ 16161.3000 |
| 1000+ | $31.7701 | $ 31770.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE75 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃ | |
| جامع الحالي (Ic) | 5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 2W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 100uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@50mA,5V | |
| تردد الانتقال (fT) | 120MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.5V@500mA,5A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $83.8059 | $ 83.8059 |
| 200+ | $33.4398 | $ 6687.9600 |
| 500+ | $32.3226 | $ 16161.3000 |
| 1000+ | $31.7701 | $ 31770.1000 |
