Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE387
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE387 |
| رقم قطعة EBEE | E86943825 |
| الحزمة | TO-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 150V 250W 50@1A,4V 50A NPN TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $108.5693 | $ 108.5693 |
| 200+ | $43.3204 | $ 8664.0800 |
| 500+ | $41.8722 | $ 20936.1000 |
| 1000+ | $41.1577 | $ 41157.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE387 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 50A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 250W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 50uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 150V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@1A,4V | |
| تردد الانتقال (fT) | 30MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 3V@10A,50A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $108.5693 | $ 108.5693 |
| 200+ | $43.3204 | $ 8664.0800 |
| 500+ | $41.8722 | $ 20936.1000 |
| 1000+ | $41.1577 | $ 41157.7000 |
