| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE255 |
| رقم قطعة EBEE | E86622528 |
| الحزمة | TO-237 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 300V 850mW 30@100mA,10V 500mA NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7883 | $ 6.7883 |
| 200+ | $2.7102 | $ 542.0400 |
| 500+ | $2.6196 | $ 1309.8000 |
| 1000+ | $2.5743 | $ 2574.3000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE255 | |
| RoHS | ||
| جامع الحالي (Ic) | 500mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 850mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 300V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@100mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | 300MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 500mV@10mA,100mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.7883 | $ 6.7883 |
| 200+ | $2.7102 | $ 542.0400 |
| 500+ | $2.6196 | $ 1309.8000 |
| 1000+ | $2.5743 | $ 2574.3000 |
