Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE2525
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE2525 |
| رقم قطعة EBEE | E87250224 |
| الحزمة | TO-251 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 50V 1W 100@500mA,2V 8A PNP TO-251 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6841 | $ 3.6841 |
| 200+ | $1.4709 | $ 294.1800 |
| 500+ | $1.4221 | $ 711.0500 |
| 1000+ | $1.3977 | $ 1397.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE2525 | |
| RoHS | ||
| جامع الحالي (Ic) | 8A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@500mA,2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 130MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 500mV@200mA,4A | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6841 | $ 3.6841 |
| 200+ | $1.4709 | $ 294.1800 |
| 500+ | $1.4221 | $ 711.0500 |
| 1000+ | $1.3977 | $ 1397.7000 |
