Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE24
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE24 |
| رقم قطعة EBEE | E87015825 |
| الحزمة | TO-237 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 850mW 40@250mA,2V 1A NPN TO-237 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2276 | $ 3.2276 |
| 200+ | $1.2879 | $ 257.5800 |
| 500+ | $1.2461 | $ 623.0500 |
| 1000+ | $1.2235 | $ 1223.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE24 | |
| RoHS | ||
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 850mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 100nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@250mA,2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 50MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.5V@100mA,1A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2276 | $ 3.2276 |
| 200+ | $1.2879 | $ 257.5800 |
| 500+ | $1.2461 | $ 623.0500 |
| 1000+ | $1.2235 | $ 1223.5000 |
