Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE180
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE180 |
| رقم قطعة EBEE | E86721648 |
| الحزمة | TO-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 200W [email protected],2V 30A PNP TO-3 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE180 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 30A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 200W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1mA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 100V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | [email protected],2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 2MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 800mV@750mA,7.5A | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $21.8482 | $ 21.8482 |
| 200+ | $8.7177 | $ 1743.5400 |
| 500+ | $8.4266 | $ 4213.3000 |
| 1000+ | $8.2838 | $ 8283.8000 |
