Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE159
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE159 |
| رقم قطعة EBEE | E86622482 |
| الحزمة | TO-92 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 625mW 50@10mA,10V 800mA PNP TO-92 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3851 | $ 4.3851 |
| 200+ | $1.7498 | $ 349.9600 |
| 500+ | $1.6906 | $ 845.3000 |
| 1000+ | $1.6627 | $ 1662.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE159 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 800mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 625mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 50nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@10mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.3851 | $ 4.3851 |
| 200+ | $1.7498 | $ 349.9600 |
| 500+ | $1.6906 | $ 845.3000 |
| 1000+ | $1.6627 | $ 1662.7000 |
