Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
NTE ELECTRONICS, INC. NTE102
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | NTE102 |
| رقم قطعة EBEE | E86622474 |
| الحزمة | TO-5 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 24V 150mW 30@12mA,150mV 150mA PNP TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | NTE Electronics NTE102 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+100℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 150mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 150mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 5uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 24V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@12mA,150mV | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 200mV@1mA,24mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $16.7434 | $ 16.7434 |
| 200+ | $6.6804 | $ 1336.0800 |
| 500+ | $6.4573 | $ 3228.6500 |
| 1000+ | $6.3474 | $ 6347.4000 |
