Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302XG-N
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | MEM2302XG-N |
| رقم قطعة EBEE | E8489597 |
| الحزمة | SOT-23 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 20V 3A 35mΩ@4.5V,3A 800mW 750mV@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>30 في المخزن للشحن السريع
30 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0429 | $ 0.4290 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0309 | $ 9.2700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0247 | $ 148.2000 |
| 9000+ | $0.0235 | $ 211.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | MICRONE(Nanjing Micro One Elec) MEM2302XG-N | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| النوع | 1 Piece P-Channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 20V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 3A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 35mΩ@4.5V,3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800mW | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 750mV@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 23pF@10V | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 240pF@10V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 60nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
30 Stock for Shipping Fast
30 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0429 | $ 0.4290 |
| 100+ | $0.0350 | $ 3.5000 |
| 300+ | $0.0309 | $ 9.2700 |
| 3000+ | $0.0270 | $ 81.0000 |
| 6000+ | $0.0247 | $ 148.2000 |
| 9000+ | $0.0235 | $ 211.5000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
