Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech MVR2N2222AUA/TR
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | MVR2N2222AUA/TR |
| رقم قطعة EBEE | E86929307 |
| الحزمة | SMD-4P |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 50V 650mW 100@150mA,10V 800mA NPN SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $541.4485 | $ 541.4485 |
| 200+ | $216.0423 | $ 43208.4600 |
| 500+ | $208.8223 | $ 104411.1500 |
| 1000+ | $205.2550 | $ 205255.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP MVR2N2222AUA/TR | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 800mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 650mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 50nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@150mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1V@50mA,500mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $541.4485 | $ 541.4485 |
| 200+ | $216.0423 | $ 43208.4600 |
| 500+ | $208.8223 | $ 104411.1500 |
| 1000+ | $205.2550 | $ 205255.0000 |
