Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JANTXV2N3500
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANTXV2N3500 |
| رقم قطعة EBEE | E83201237 |
| الحزمة | TO-39(TO-205AD) |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 150V 1W 40@150mA,10V 300mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8535 | $ 46.8535 |
| 200+ | $18.1329 | $ 3626.5800 |
| 500+ | $17.4959 | $ 8747.9500 |
| 1000+ | $17.1800 | $ 17180.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 300mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | - | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 150V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 600mV@300mA,30mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $46.8535 | $ 46.8535 |
| 200+ | $18.1329 | $ 3626.5800 |
| 500+ | $17.4959 | $ 8747.9500 |
| 1000+ | $17.1800 | $ 17180.0000 |
