Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JANSR2N3810
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANSR2N3810 |
| رقم قطعة EBEE | E83201474 |
| الحزمة | TO-78-6 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 350mW 150@1mA,5V 50mA PNP TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $604.5228 | $ 604.5228 |
| 200+ | $233.9428 | $ 46788.5600 |
| 500+ | $225.7219 | $ 112860.9500 |
| 1000+ | $221.6585 | $ 221658.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 50mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 350mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 60V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 150@1mA,5V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 250mV@1mA,100uA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $604.5228 | $ 604.5228 |
| 200+ | $233.9428 | $ 46788.5600 |
| 500+ | $225.7219 | $ 112860.9500 |
| 1000+ | $221.6585 | $ 221658.5000 |
