Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JANSF2N4449
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANSF2N4449 |
| رقم قطعة EBEE | E83201330 |
| الحزمة | TO-46(TO-206AB) |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 360mW 20@100mA,1V NPN TO-46(TO-206AB) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 360mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 400nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 20V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@100mA,1V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 450mV@100mA,10mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $392.1694 | $ 392.1694 |
| 200+ | $151.7642 | $ 30352.8400 |
| 500+ | $146.4321 | $ 73216.0500 |
| 1000+ | $143.7953 | $ 143795.3000 |
