Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JANS2N6989
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANS2N6989 |
| رقم قطعة EBEE | E83200700 |
| الحزمة | DIP-14 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 50V 1.5W 100@150mA,10V 800mA NPN DIP-14 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 800mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.5W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $550.9549 | $ 550.9549 |
| 200+ | $213.2123 | $ 42642.4600 |
| 500+ | $205.7189 | $ 102859.4500 |
| 1000+ | $202.0175 | $ 202017.5000 |
