Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JANS2N3737UB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANS2N3737UB |
| رقم قطعة EBEE | E83202295 |
| الحزمة | SMD-4P |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 500mW 20@1A,1.5V 1.5A NPN SMD-4P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $477.6679 | $ 477.6679 |
| 200+ | $184.8518 | $ 36970.3600 |
| 500+ | $178.3557 | $ 89177.8500 |
| 1000+ | $175.1457 | $ 175145.7000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 500mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@1A,1.5V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 900mV@1A,100mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $477.6679 | $ 477.6679 |
| 200+ | $184.8518 | $ 36970.3600 |
| 500+ | $178.3557 | $ 89177.8500 |
| 1000+ | $175.1457 | $ 175145.7000 |
