| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JANS2N2219A |
| رقم قطعة EBEE | E83201210 |
| الحزمة | TO-39(TO-205AD) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 50V 800W 100@150mA,10V 800mA NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JANS2N2219A | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 800mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 50V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1V@500mA,50mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $183.2175 | $ 183.2175 |
| 200+ | $70.9022 | $ 14180.4400 |
| 500+ | $68.4110 | $ 34205.5000 |
| 1000+ | $67.1796 | $ 67179.6000 |
