Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N5415S
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N5415S |
| رقم قطعة EBEE | E86644235 |
| الحزمة | TO-39(TO-205AD) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 200V 750mW 30@50mA,10V 1A PNP TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $29.1925 | $ 29.1925 |
| 200+ | $11.6492 | $ 2329.8400 |
| 500+ | $11.2587 | $ 5629.3500 |
| 1000+ | $11.0670 | $ 11067.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JAN2N5415S | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 750mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1mA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 200V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@50mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 2V@5mA,50mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $29.1925 | $ 29.1925 |
| 200+ | $11.6492 | $ 2329.8400 |
| 500+ | $11.2587 | $ 5629.3500 |
| 1000+ | $11.0670 | $ 11067.0000 |
