Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N3997
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N3997 |
| رقم قطعة EBEE | E85658554 |
| الحزمة | TO-111 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 2W 80@1A,2V 10A NPN TO-111 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $380.2058 | $ 380.2058 |
| 200+ | $151.7049 | $ 30340.9800 |
| 500+ | $146.6357 | $ 73317.8500 |
| 1000+ | $144.1316 | $ 144131.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JAN2N3997 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 10A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 2W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 80@1A,2V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 2V@500mA,5A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $380.2058 | $ 380.2058 |
| 200+ | $151.7049 | $ 30340.9800 |
| 500+ | $146.6357 | $ 73317.8500 |
| 1000+ | $144.1316 | $ 144131.6000 |
