Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N3501L
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N3501L |
| رقم قطعة EBEE | E85658537 |
| الحزمة | TO-5 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 150V 1W 100@150mA,10V 300mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $20.1496 | $ 20.1496 |
| 200+ | $8.0403 | $ 1608.0600 |
| 500+ | $7.7720 | $ 3886.0000 |
| 1000+ | $7.6396 | $ 7639.6000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JAN2N3501L | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 300mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 150V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@150mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 400mV@15mA,150mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $20.1496 | $ 20.1496 |
| 200+ | $8.0403 | $ 1608.0600 |
| 500+ | $7.7720 | $ 3886.0000 |
| 1000+ | $7.6396 | $ 7639.6000 |
