Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N3019
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N3019 |
| رقم قطعة EBEE | E86972231 |
| الحزمة | TO-39 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 800mW 50@500mA,10V 1A NPN TO-39 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $29.6384 | $ 29.6384 |
| 200+ | $11.8261 | $ 2365.2200 |
| 500+ | $11.4323 | $ 5716.1500 |
| 1000+ | $11.2353 | $ 11235.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JAN2N3019 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@500mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 500mV@50mA,500mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $29.6384 | $ 29.6384 |
| 200+ | $11.8261 | $ 2365.2200 |
| 500+ | $11.4323 | $ 5716.1500 |
| 1000+ | $11.2353 | $ 11235.3000 |
