Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N1613L
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N1613L |
| رقم قطعة EBEE | E83201346 |
| الحزمة | TO-5 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 30V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP JAN2N1613L | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 500mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 30V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.5V@150mA,15mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $308.0940 | $ 308.0940 |
| 200+ | $119.2286 | $ 23845.7200 |
| 500+ | $115.0391 | $ 57519.5500 |
| 1000+ | $112.9683 | $ 112968.3000 |
