Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech JAN2N1483
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | JAN2N1483 |
| رقم قطعة EBEE | E83201518 |
| الحزمة | TO-8 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 1.75W 20@750mA,4V 3A NPN TO-8 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $554.5694 | $ 554.5694 |
| 200+ | $214.6106 | $ 42922.1200 |
| 500+ | $207.0692 | $ 103534.6000 |
| 1000+ | $203.3430 | $ 203343.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.75W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 15uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@750mA,4V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@750A,75mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $554.5694 | $ 554.5694 |
| 200+ | $214.6106 | $ 42922.1200 |
| 500+ | $207.0692 | $ 103534.6000 |
| 1000+ | $203.3430 | $ 203343.0000 |
