Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech APTM50H10FT3G
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | APTM50H10FT3G |
| رقم قطعة EBEE | E817536902 |
| الحزمة | - |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 500V 37A 120mΩ@10V,18.5A 312W 5V@1mA 4 N-channel MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 4 N-channel | |
| التكوين | Half Bridge | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 500V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 37A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 120mΩ@10V,18.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 312W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 5V@1mA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 4.367nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 96nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $272.8208 | $ 272.8208 |
| 200+ | $108.8584 | $ 21771.6800 |
| 500+ | $105.2196 | $ 52609.8000 |
| 1000+ | $103.4238 | $ 103423.8000 |
