| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | APTM100H35FTG |
| رقم قطعة EBEE | E817571915 |
| الحزمة | - |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 1kV 22A 420mΩ@10V,11A 390W [email protected] 4 N-channel MOSFETs ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $628.7324 | $ 628.7324 |
| 200+ | $250.8680 | $ 50173.6000 |
| 500+ | $242.4861 | $ 121243.0500 |
| 1000+ | $238.3439 | $ 238343.9000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 4 N-channel | |
| التكوين | Half Bridge | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 1kV | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 22A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 420mΩ@10V,11A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 390W | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | [email protected] | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 5.2nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 186nC@10V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $628.7324 | $ 628.7324 |
| 200+ | $250.8680 | $ 50173.6000 |
| 500+ | $242.4861 | $ 121243.0500 |
| 1000+ | $238.3439 | $ 238343.9000 |
