Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech APTM100A13DG
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | APTM100A13DG |
| رقم قطعة EBEE | E817570354 |
| الحزمة | - |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 1kV 65A 1.25kW 156mΩ@10V,32.5A 5V@6mA 2 N-Channel MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| النوع | 2 N-Channel | |
| التكوين | Half Bridge | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 1kV | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 65A | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 156mΩ@10V,32.5A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.25kW | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 5V@6mA | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 15.2nF@25V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 562nC@10V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $895.6047 | $ 895.6047 |
| 200+ | $357.3522 | $ 71470.4400 |
| 500+ | $345.4116 | $ 172705.8000 |
| 1000+ | $339.5101 | $ 339510.1000 |
