Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N5794
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N5794 |
| رقم قطعة EBEE | E83201508 |
| الحزمة | TO-78-6 |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 600mW 100@150mA,10V 600mA NPN TO-78-6 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $111.3287 | $ 111.3287 |
| 200+ | $43.0829 | $ 8616.5800 |
| 500+ | $41.5694 | $ 20784.7000 |
| 1000+ | $40.8205 | $ 40820.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Bipolar Transistor Arrays | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 600mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 600mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 100@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 900mV@300mA,30mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $111.3287 | $ 111.3287 |
| 200+ | $43.0829 | $ 8616.5800 |
| 500+ | $41.5694 | $ 20784.7000 |
| 1000+ | $40.8205 | $ 40820.5000 |
