Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N5010U4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N5010U4 |
| رقم قطعة EBEE | E86803409 |
| الحزمة | SMD-3P |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 500V 1W 30@25mA,10V 200mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $282.8687 | $ 282.8687 |
| 200+ | $112.8677 | $ 22573.5400 |
| 500+ | $109.0961 | $ 54548.0500 |
| 1000+ | $107.2313 | $ 107231.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N5010U4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 200mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 500V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 30@25mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.4V@5mA,25mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $282.8687 | $ 282.8687 |
| 200+ | $112.8677 | $ 22573.5400 |
| 500+ | $109.0961 | $ 54548.0500 |
| 1000+ | $107.2313 | $ 107231.3000 |
