Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N4930U4
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N4930U4 |
| رقم قطعة EBEE | E87174723 |
| الحزمة | SMD-3P |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 200V 1W 50@30mA,10V 200mA PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $217.6318 | $ 217.6318 |
| 200+ | $86.8377 | $ 17367.5400 |
| 500+ | $83.9361 | $ 41968.0500 |
| 1000+ | $82.5018 | $ 82501.8000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N4930U4 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 200mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 250nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 200V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@30mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@3mA,30mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $217.6318 | $ 217.6318 |
| 200+ | $86.8377 | $ 17367.5400 |
| 500+ | $83.9361 | $ 41968.0500 |
| 1000+ | $82.5018 | $ 82501.8000 |
