Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N4449
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N4449 |
| رقم قطعة EBEE | E85487642 |
| الحزمة | TO-46(TO-206AB) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 20V 360mW 20@100mA,1V NPN TO-46(TO-206AB) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $38.3493 | $ 38.3493 |
| 200+ | $15.3018 | $ 3060.3600 |
| 500+ | $14.7912 | $ 7395.6000 |
| 1000+ | $14.5385 | $ 14538.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N4449 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 360mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 400nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 20V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@100mA,1V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 450mV@10mA,100mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $38.3493 | $ 38.3493 |
| 200+ | $15.3018 | $ 3060.3600 |
| 500+ | $14.7912 | $ 7395.6000 |
| 1000+ | $14.5385 | $ 14538.5000 |
