Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N3879A
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N3879A |
| رقم قطعة EBEE | E85503542 |
| الحزمة | TO-66(TO-213AA) |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 75V 35W 20@4A,5V 7A NPN TO-66(TO-213AA) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $64.2807 | $ 64.2807 |
| 200+ | $25.6493 | $ 5129.8600 |
| 500+ | $24.7919 | $ 12395.9500 |
| 1000+ | $24.3685 | $ 24368.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 7A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 35W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 25mA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 75V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@4A,5V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@400mA,4A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $64.2807 | $ 64.2807 |
| 200+ | $25.6493 | $ 5129.8600 |
| 500+ | $24.7919 | $ 12395.9500 |
| 1000+ | $24.3685 | $ 24368.5000 |
