Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N3636UB
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N3636UB |
| رقم قطعة EBEE | E85487588 |
| الحزمة | SMD-3P |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 175V 1.5W 50@50mA,10V 1A PNP SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $40.1773 | $ 40.1773 |
| 200+ | $16.0319 | $ 3206.3800 |
| 500+ | $15.4952 | $ 7747.6000 |
| 1000+ | $15.2304 | $ 15230.4000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N3636UB | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.5W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 175V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 50@50mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 600mV@5mA,50mA | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $40.1773 | $ 40.1773 |
| 200+ | $16.0319 | $ 3206.3800 |
| 500+ | $15.4952 | $ 7747.6000 |
| 1000+ | $15.2304 | $ 15230.4000 |
