Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N3498U4/TR
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N3498U4/TR |
| رقم قطعة EBEE | E86379576 |
| الحزمة | SMD-3P |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 100V 1W 40@150mA,10V 500mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $356.9408 | $ 356.9408 |
| 200+ | $142.4226 | $ 28484.5200 |
| 500+ | $137.6629 | $ 68831.4500 |
| 1000+ | $135.3119 | $ 135311.9000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 500mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 50nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 100V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@150mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 600mV@30mA,300mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $356.9408 | $ 356.9408 |
| 200+ | $142.4226 | $ 28484.5200 |
| 500+ | $137.6629 | $ 68831.4500 |
| 1000+ | $135.3119 | $ 135311.9000 |
