Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N3439P
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N3439P |
| رقم قطعة EBEE | E86404295 |
| الحزمة | TO-39(TO-205AD) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 350V 800mW 40@20mA,10V 1A NPN TO-39(TO-205AD) Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $73.8177 | $ 73.8177 |
| 200+ | $29.4539 | $ 5890.7800 |
| 500+ | $28.4710 | $ 14235.5000 |
| 1000+ | $27.9830 | $ 27983.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N3439P | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+200℃ | |
| جامع الحالي (Ic) | 1A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 2uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 350V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@20mA,10V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 500mV@4mA,50mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $73.8177 | $ 73.8177 |
| 200+ | $29.4539 | $ 5890.7800 |
| 500+ | $28.4710 | $ 14235.5000 |
| 1000+ | $27.9830 | $ 27983.0000 |
