Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
Microchip Tech 2N2484UBC/TR
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N2484UBC/TR |
| رقم قطعة EBEE | E86803360 |
| الحزمة | SMD-3P |
| رقم العميل | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 360mW 250@1mA,5V 50mA NPN SMD-3P Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $104.5753 | $ 104.5753 |
| 200+ | $41.7269 | $ 8345.3800 |
| 500+ | $40.3327 | $ 20166.3500 |
| 1000+ | $39.6443 | $ 39644.3000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 50mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 360mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 2nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 60V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 250@1mA,5V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 300mV@100µA,1mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $104.5753 | $ 104.5753 |
| 200+ | $41.7269 | $ 8345.3800 |
| 500+ | $40.3327 | $ 20166.3500 |
| 1000+ | $39.6443 | $ 39644.3000 |
