| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N1893 |
| رقم قطعة EBEE | E83201376 |
| الحزمة | TO-5 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 80V 800mW 40@150mA,10V 500mA NPN TO-5 Bipolar (BJT) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $82.9488 | $ 82.9488 |
| 200+ | $32.1011 | $ 6420.2200 |
| 500+ | $30.9725 | $ 15486.2500 |
| 1000+ | $30.4153 | $ 30415.3000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N1893 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 500mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 800mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 10nA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 80V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 40@150mA,10V | |
| تردد الانتقال (fT) | - | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 5V@150mA,15mA | |
| نوع الترانسزر | NPN |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $82.9488 | $ 82.9488 |
| 200+ | $32.1011 | $ 6420.2200 |
| 500+ | $30.9725 | $ 15486.2500 |
| 1000+ | $30.4153 | $ 30415.3000 |
