| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | 2N1483 |
| رقم قطعة EBEE | E86667542 |
| الحزمة | TO-8 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 40V 1.75W 20@750mA,4V 3A NPN TO-8 Bipolar (BJT) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $131.9883 | $ 131.9883 |
| 200+ | $52.6649 | $ 10532.9800 |
| 500+ | $50.9048 | $ 25452.4000 |
| 1000+ | $50.0350 | $ 50035.0000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MICROCHIP 2N1483 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -65℃~+200℃@(Tj) | |
| جامع الحالي (Ic) | 3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 1.75W | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 15uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 40V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | 20@750mA,4V | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 1.2V@75mA,750A | |
| نوع الترانسزر | NPN |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $131.9883 | $ 131.9883 |
| 200+ | $52.6649 | $ 10532.9800 |
| 500+ | $50.9048 | $ 25452.4000 |
| 1000+ | $50.0350 | $ 50035.0000 |
