Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | BSS84 |
| رقم قطعة EBEE | E83290033 |
| الحزمة | SOT-23-3 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | 60V 170mA 350mW 9.9Ω@4.5V,150mA 1.4V@250uA 1 Piece P-Channel SOT-23-3 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2394 | $ 0.2394 |
| 200+ | $0.0927 | $ 18.5400 |
| 500+ | $0.0895 | $ 44.7500 |
| 1000+ | $0.0879 | $ 87.9000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | ||
| ورقة البيانات | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS84 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -50℃~+150℃ | |
| النوع | 1 Piece P-Channel | |
| الصرف مصدر الجهد (Vdss) | 60V | |
| تيار التصريف المستمر (Id) | 170mA | |
| مصدر التصريف على المقاومة (RDS (على) @ Vgs ، Id) | 9.9Ω@4.5V,150mA | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 350mW | |
| بوابة عتبة الجهد (Vgs (th) @ Id) | 1.4V@250uA | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 1.8pF | |
| سعة المدخلات (Ciss@Vds) | 43pF@30V | |
| إجمالي رسوم البوابة (Qg@Vgs) | 1.77nC@30V |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2394 | $ 0.2394 |
| 200+ | $0.0927 | $ 18.5400 |
| 500+ | $0.0895 | $ 44.7500 |
| 1000+ | $0.0879 | $ 87.9000 |
