Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
MDD(Microdiode Semiconductor) B772
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | B772 |
| رقم قطعة EBEE | E8414034 |
| الحزمة | SOT-89 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | 30V 500mW [email protected],2V 3A PNP SOT-89 Bipolar (BJT) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0734 | $ 0.7340 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0537 | $ 16.1100 |
| 1000+ | $0.0444 | $ 44.4000 |
| 5000+ | $0.0404 | $ 202.0000 |
| 10000+ | $0.0384 | $ 384.0000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Discrete Semiconductors ,Bipolar (BJT) ,Single Bipolar Transistors | |
| ورقة البيانات | MDD(Microdiode Semiconductor) B772 | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -55℃~+150℃ | |
| جامع الحالي (Ic) | 3A | |
| تبديد الطاقة (Pd) | 500mW | |
| جامع قطع التيار (إكبو) | 1uA | |
| جامع-باعث انهيار الجهد (Vceo) | 30V | |
| DC المكسب الحالي (hFE@Ic، Vce) | [email protected],2V | |
| تردد الانتقال (fT) | 50MHz | |
| جامع الباعث التشبع الجهد (VCE (sat)@Ic,Ib) | 0.3V@2A,0.2A | |
| نوع الترانسزر | PNP |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0734 | $ 0.7340 |
| 100+ | $0.0603 | $ 6.0300 |
| 300+ | $0.0537 | $ 16.1100 |
| 1000+ | $0.0444 | $ 44.4000 |
| 5000+ | $0.0404 | $ 202.0000 |
| 10000+ | $0.0384 | $ 384.0000 |
