| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | FQD2N65SE |
| رقم قطعة EBEE | E842404739 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-252 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | KTP FQD2N65SE | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 4.8Ω@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 40W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Ciss-Input Capacitance | 350pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 50pF | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.0899 | $ 0.4495 |
| 50+ | $0.0711 | $ 3.5550 |
| 150+ | $0.0617 | $ 9.2550 |
| 500+ | $0.0546 | $ 27.3000 |
| 2500+ | $0.0490 | $ 122.5000 |
| 5000+ | $0.0461 | $ 230.5000 |
