| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | FQD10N65SE |
| رقم قطعة EBEE | E842404734 |
| الحزمة | TO-252 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-252 MOSFETs ROHS |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | KTP FQD10N65SE | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| التكوين | - | |
| RDS(على) | 900mΩ@10V | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+150℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.5nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 194pF | |
| Gate Charge(Qg) | 35nC@10V |
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1916 | $ 0.9580 |
| 50+ | $0.1673 | $ 8.3650 |
| 150+ | $0.1569 | $ 23.5350 |
| 500+ | $0.1439 | $ 71.9500 |
| 2500+ | $0.1382 | $ 345.5000 |
| 5000+ | $0.1347 | $ 673.5000 |
