Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IS34ML01G081-BLI |
| رقم قطعة EBEE | E81348840 |
| الحزمة | VFBGA-63(9x11) |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | 3A991B1A |
| الوصف | 2.7V~3.6V 1Gbit VFBGA-63(9x11) NAND FLASH ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>59 في المخزن للشحن السريع
59 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الذاكرة ,ناند فلاش | |
| ورقة البيانات | ISSI(Integrated Silicon Solution) IS34ML01G081-BLI | |
| RoHS | ||
| درجة حرارة التشغيل | -40℃~+85℃ | |
| واجهة | - | |
| الجهد - العرض | 2.7V~3.6V | |
| حجم الذاكرة | 1Gbit | |
| وقت برمجة الصفحة (Tpp) | 400us | |
| Data Retention - TDR (Year) | 10 Years | |
| Standby Supply Current | 10uA | |
| Write Cycle Time(tWC) | 25ns | |
| Program / Erase Cycles | 100,000 cycles | |
| Block Erase Time(tBE) | 3ms |
دليل التسوق
توسيع
59 Stock for Shipping Fast
59 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $4.4777 | $ 4.4777 |
| 10+ | $3.8031 | $ 38.0310 |
| 30+ | $3.4015 | $ 102.0450 |
| 100+ | $2.9952 | $ 299.5200 |
| 500+ | $2.8079 | $ 1403.9500 |
| 1000+ | $2.7238 | $ 2723.8000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
