Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
InventChip IV2Q12160D7Z
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IV2Q12160D7Z |
| رقم قطعة EBEE | E822368199 |
| الحزمة | TO-263-7 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | InventChip IV2Q12160D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 208mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 2.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 136W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 580pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 35pF | |
| Gate Charge(Qg) | 29nC |
دليل التسوق
توسيع
متوفر : يرجى الاستفسار
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $6.4252 | $ 6.4252 |
| 10+ | $6.2704 | $ 62.7040 |
| 30+ | $6.1677 | $ 185.0310 |
| 100+ | $6.0650 | $ 606.5000 |
