Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
InventChip IV2Q12080D7Z
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | IV2Q12080D7Z |
| رقم قطعة EBEE | E822368197 |
| الحزمة | TO-263-7 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | None |
| الوصف | TO-263-7 MOSFETs ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>20 في المخزن للشحن السريع
20 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8390 | $ 9.8390 |
| 10+ | $8.4386 | $ 84.3860 |
| 30+ | $7.5860 | $ 227.5800 |
| 100+ | $6.8700 | $ 687.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | الترازر/الثايرستر ,موسفت | |
| ورقة البيانات | InventChip IV2Q12080D7Z | |
| RoHS | ||
| RDS(على) | 104mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 4.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 250W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 41A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.214nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 58.1pF | |
| Gate Charge(Qg) | 53nC |
دليل التسوق
توسيع
20 Stock for Shipping Fast
20 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $9.8390 | $ 9.8390 |
| 10+ | $8.4386 | $ 84.3860 |
| 30+ | $7.5860 | $ 227.5800 |
| 100+ | $6.8700 | $ 687.0000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
